Перегляд зібрання за групою - Автори Киселюк, М.П.

Перейти до: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І Ї Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ю Я
або ж введіть декілька перших літер:  
Результати 1 до 5 із 5
Попередній переглядДата виданняНазваАвтор(и)
2015Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics = Неруйнівний контроль критичних дефектів та діагноур InGaN/GaN у світлодіодах живлення за допомогою їх характеристик мікроплазмиБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, А.І.; Власенко, З.К.; Киселюк, М.П.
2016Енергозберігальна установка для знезараження води ультрафіолетовим випрмінюваннямБорщ, В.В.; Власенко, О.І.; Велещук, В.П.; Власенко, З.К.; Киселюк, М.П.; Борщ, О.Б.; Шульга, О.В.; Пугач, М.В.; Нелюба, Д.М.; Даулєтмуратов, Б.К.
2013Зміна випромінювальних параметрів потужних світлодіодів при підвищенні струмуБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Киселюк, М.П.; Власенко, О.І.
2018Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нмБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, О.І.; Власенко, З.К.; Хміль, Д.М.; Камуз, О.М.; Неділько, С.Г.; Щербацький, В.П.; Гнатюк, Д.В.; Киселюк, М.П.
2015Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями = Зсув спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN з різним вмістом індію і різним матеріалом підкладки, обумовлене ефектом Штарка і механічною напругоюБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, А.И.; Киселюк, М.П.; Власенко, З.К.; Хмиль, Д.Н.