Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/2314
Назва: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature = Електролюмінесценція гетероструктур InGaN / GaN при зворотному зміщенні та азотній температурі
Автори: Борщ, В.В.
Велещук, В.
Власенко, О.
Киселюк, М.
Хміль, Д.
Тематичні ключові слова: electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect
електролюмінесценція при зворотньому зміщенні
гетероструктури InGaN / GaN
дефект
Дата публікації: 2015
Видавництво: Польща : Вроцлавський технологічний університет
Анотація: The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer).The temperature narrowing the half-width and the shift of еlectroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.
Бібліографічний опис: Borshch V.V. Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature // V.V. Borshch [et al.] // Optica Applicata : international scientific journal. - 2015. - Vol. XLV, No. 4. - P. 535-543.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/2314
Розташовується у зібраннях:Кафедра автоматики, електроніки та робототехніки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
optappl_4504p535.pdfСтаття347.91 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.