Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/2314
Назва: | Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature = Електролюмінесценція гетероструктур InGaN / GaN при зворотному зміщенні та азотній температурі |
Автори: | Борщ, В.В. Велещук, В.П. Власенко, О.І. Киселюк, М.П. Хміль, Д.Н. |
Тематичні ключові слова: | electroluminescence at reverse bias InGaN/GaN heterostructures defect електролюмінесценція при зворотньому зміщенні гетероструктури InGaN / GaN дефект |
Дата публікації: | 2015 |
Видавництво: | Польща : Вроцлавський технологічний університет |
Анотація: | The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer).The temperature narrowing the half-width and the shift of еlectroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed. |
Бібліографічний опис: | Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature // V.V. Borshch [et al.] // Optica Applicata : international scientific journal. - 2015. - Vol. XLV, No. 4. - P. 535-543. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/2314 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
optappl_4504p535.pdf | Стаття | 347.91 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.