Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/6421
Назва: | Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм |
Автори: | Борщ, В.В. Велещук, В.П. Власенко, О.І. Власенко, З.К. Хміль, Д.М. Камуз, О.М. Неділько, С.Г. Щербацький, В.П. Гнатюк, Д.В. Киселюк, М.П. |
Тематичні ключові слова: | УФ світлодіод 365 нм люмінесценція |
Дата публікації: | 2018 |
Видавництво: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
Анотація: | У роботі встановлено механізм появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах (СД) ультрафіолетового (УФ) випромінювання 365 нм. Світлодіоди УФ випромінювання з максимумом на довжині хвилі 365 нм мають широке коло застосувань, наприклад полімеризація, флуоресцентна мікроскопія в медицині та біології, люмінесцентний аналіз. Однак InGaN/AlGaN/GaN гетероструктури УФ СД мають ряд недоліків, зокрема так звану жовту люмінесценцію. Тому, окрім робіт по підвищенню квантової ефективності, проводяться дослідження щодо зниження видимої паразитної люмінесценції в УФ світлодіодах. Для пошуку способів зниження інтенсивності видимої люмінесценції необхідно знати механізм її виникнення. Досліджено промислові InGaN/AlGaN/GaN УФ світлодіоди з максимумом 365…370 нм. Встановлено, що видима паразитна люмінесценція у даних світлодіодах складається з двох спектральних частин – так званих жовтої люмінесценції та синьої люмінесценції, які зумовлені дефектами та комплексами дефектів з легуючими домішками. Люмінесценція у жовто-зеленій частині спектра (максимум при 555 нм) є домінуючою при температурі 300 K, а люмінесценція в синій частині спектра (400…470 нм) – при температурі в околі 77 K. Показано, що домінуючим механізмом появи видимої люмінесценції в УФ світлодіодах 365 нм є електролюмінесценція, оскільки при підвищенні напруги на p-n переході жовта смуга електролюмінесценції з’являється першою; фотолюмінесценція у даних СД при Т = 77 K при збудженні УФ випромінюванням від аналогічного світлодіода практично відсутня, у той же час при підвищенні струму при Т = 77 K з’являється та росте інтенсивність жовтої смуги електролюмінесценції. |
Бібліографічний опис: | Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм / В.П. Велещук, О.І. Власенко, В.В. Борщ [та ін.] // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2018. – № 53. – С. 181-187. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/6421 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
9-Veleschuk181-187_copy.pdf | 384.58 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.