Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/2378
Назва: | Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics = Неруйнівний контроль критичних дефектів та діагноур InGaN/GaN у світлодіодах живлення за допомогою їх характеристик мікроплазми |
Автори: | Борщ, В.В. Велещук, В.П. Власенко, А.І. Власенко, З.К. Киселюк, М.П. |
Тематичні ключові слова: | power LED InGaN/GaN avalanche breakdown non-destructive diagnostics світлодіодний індикатор живлення неруйнівна діагностика |
Дата публікації: | 2015 |
Видавництво: | Materials Research Express: IOP Publishing |
Анотація: | In this work, we studied the controlled microplasma breakdown of InGaN/GaN heterostructures in power light-emitting diodes (LEDs) prepared on various substrates (SiC, AuSn/Si, Al2O3). It was ascertained that LED microplasma characteristics are related to their functional parameters. It was shown that nondestructive control of the critical defects and diagnostics of the InGaN/GaN power LEDs are possible because they are based on the following parameters of microplasmas: (1) voltage of the first microplasma; (2) current of the first microplasma; (3) amount of the microplasmas; (4) integrated luminescence intensity of the microplasmas; (5) ratio of the blue and yellow band luminescence peak intensities for the microplasmas; (6) displacement between electroluminescence peaks for forward and reverse biases. It was ascertained that the majority of microplasmas arise near the faces of the crystallites’ grain boundaries. |
Бібліографічний опис: | Veleschuk V.H. Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics / V.P. Veleschuk, A.I. Vlasenko, Z.K. Vlasenko, M.P. Kisselyuk, V.V. Borshc // Materials Research Express. - 2015. - Vol. 2. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/2378 |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
скопус 2.pdf | Стаття | 953.82 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.