Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/2379
Назва: Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями = Зсув спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN з різним вмістом індію і різним матеріалом підкладки, обумовлене ефектом Штарка і механічною напругою
Автори: Борщ, В.В.
Велещук, В.П.
Власенко, А.И.
Киселюк, М.П.
Власенко, З.К.
Хмиль, Д.Н.
Тематичні ключові слова: спектри электролюминесценции
спектри електролюмінесценції
Дата публікації: 2015
Видавництво: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Анотація: В работе измерено смещение между максимумами спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN при прямом и обратном напряжении в зависимости от содержания индия Х в квантовой яме и от материала подложки — SiC, AuSn/Si, Al2O3. Установлено, что данное смещение увеличивается с ростом концентрации индия в слое InxGa1−xN и механических напряжений от подложки.
В роботі виміряне зміщення між максимумами спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN при прямій і зворотній напрузі в залежності від вмісту індію Х в квантовій ямі і від матеріалу підкладки - SiC, AuSn / Si, Al2O3. Встановлено, що дане зміщення збільшується зі зростанням концентрації індію в шарі InxGa1-xN і механічної напруги від підкладки.
Бібліографічний опис: Велещук В.П. Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями / В.П. Велещук, А.И. Власенко, М.П. Киселюк, З.К. Власенко, Д.Н. Хмиль, В.В. Борщ // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, вып. 8. - С. 1031-1035.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/2379
Розташовується у зібраннях:Кафедра автоматики, електроніки та робототехніки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ФТП Борщ_copy.pdfСтаття229.21 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.