Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/2378
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Борщ, В.В. | - |
dc.contributor.author | Велещук, В.П. | - |
dc.contributor.author | Власенко, А.І. | - |
dc.contributor.author | Власенко, З.К. | - |
dc.contributor.author | Киселюк, М.П. | - |
dc.date.accessioned | 2017-09-19T11:41:23Z | - |
dc.date.available | 2017-09-19T11:41:23Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.uri | http://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/2378 | - |
dc.description | Veleschuk V.H. Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics / V.P. Veleschuk, A.I. Vlasenko, Z.K. Vlasenko, M.P. Kisselyuk, V.V. Borshc // Materials Research Express. - 2015. - Vol. 2. | uk_UA |
dc.description.abstract | In this work, we studied the controlled microplasma breakdown of InGaN/GaN heterostructures in power light-emitting diodes (LEDs) prepared on various substrates (SiC, AuSn/Si, Al2O3). It was ascertained that LED microplasma characteristics are related to their functional parameters. It was shown that nondestructive control of the critical defects and diagnostics of the InGaN/GaN power LEDs are possible because they are based on the following parameters of microplasmas: (1) voltage of the first microplasma; (2) current of the first microplasma; (3) amount of the microplasmas; (4) integrated luminescence intensity of the microplasmas; (5) ratio of the blue and yellow band luminescence peak intensities for the microplasmas; (6) displacement between electroluminescence peaks for forward and reverse biases. It was ascertained that the majority of microplasmas arise near the faces of the crystallites’ grain boundaries. | uk_UA |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Materials Research Express: IOP Publishing | uk_UA |
dc.subject | power LED | uk_UA |
dc.subject | InGaN/GaN | uk_UA |
dc.subject | avalanche breakdown | uk_UA |
dc.subject | non-destructive diagnostics | uk_UA |
dc.subject | світлодіодний індикатор живлення | uk_UA |
dc.subject | неруйнівна діагностика | uk_UA |
dc.title | Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics = Неруйнівний контроль критичних дефектів та діагноур InGaN/GaN у світлодіодах живлення за допомогою їх характеристик мікроплазми | uk_UA |
dc.type | Наукові статті | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
dc.identifier.udc | 621.8 | - |
Розташовується у зібраннях: | Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
скопус 2.pdf | Стаття | 953.82 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.