Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/13064| Назва: | Властивості CdTe p-n-переходів, виготовлених лазерною імплантацією In в напівізольованих p-CdTe:Cl |
| Автори: | Шефер, О.В. Левицький, С.М. Гнатюк, Д.В. Стронський, О.В. |
| Тематичні ключові слова: | напівпровідниковий детектор напівпровідникові матеріали |
| Дата публікації: | 2-гру-2022 |
| Видавництво: | Національний університет "Полтавська політехніка імені Юрія Кондратюка" |
| Анотація: | У роботі аналізуються електричні і фотоелектричні властивості p-n-переходів p-CdTe:Cl, утворених лазерною імплантацією In у поверхневий шар CdTe та формування. Розглядаються вольт-амперні характеристики та спектральна чутливість сформованих структур Au/p-CdTe:Cl/In. |
| Бібліографічний опис: | Властивості CdTe p-n-переходів, виготовлених лазерною імплантацією In в напівізольованих p-CdTe:Cl / С.М. Левицький, Д.В. Гнатюк, О.В. Стронський, О.В. Шефер // Академічна й університетська наука : зб. наук. пр. Секції за матеріалами Всеукр. наук.-практ. конф. «Сучасні рецепції світоглядно-ціннісних орієнтирів Григорія Сковороди», 02 груд. 2022 р. : Т. 2. – Полтава : Нац. ун-т ім. Юрія Кондратюка, 2022. – С. 121-123. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/13064 |
| Розташовується у зібраннях: | Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Збірник секція 6_Сков_121-123.pdf | тези | 1.3 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.