Electrical and Luminescence Properties of Ultraviolet LEDs 365-400 nm

Unlike ordinary LEDs of the visible radiation, ultraviolet (UV) InGaN/AlGaN/GaN LEDs at wavelength λ from 365 to 400 nm have a wide range of applications: in industry, medicine, biology, science, e...

Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature

The electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns...

Електричні та люмінесцентні характеристики світлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365 нм при Т

Світлодіоди ультрафіолетового випромінювання (УФ СД) з максимумом довжини хвилі 365 нм мають широке коло застосувань. Це флуоресцентна мікроскопія в медицині та біології, люмінесцентний аналіз, пол...

Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм

У роботі встановлено механізм появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах (СД) ультрафіолетового (УФ) випромінювання 365 нм. Світлодіоди УФ випромінювання з максимумом на довжині хвилі 36...

Енергозберігальна установка для знезараження води ультрафіолетовим випрмінюванням

Установка для бактерицидного знезараження води ультрафіолетовим випромінюванням містить проточну камеру знезараження у вигляді порожнистого циліндра з вертикально орієнтованою віссю, внутрішня пове...

Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics

In this work, we studied the controlled microplasma breakdown of InGaN/GaN heterostructures in power light-emitting diodes (LEDs) prepared on various substrates (SiC, AuSn/Si, Al2O3). It was ascert...

Зміна випромінювальних параметрів потужних світлодіодів при підвищенні струму