Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями = Зсув спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN з різним вмістом індію і різним матеріалом підкладки, обумовлене ефектом Штарка і механічною напругою

Abstract

В работе измерено смещение между максимумами спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN при прямом и обратном напряжении в зависимости от содержания индия Х в квантовой яме и от материала подложки — SiC, AuSn/Si, Al2O3. Установлено, что данное смещение увеличивается с ростом концентрации индия в слое InxGa1−xN и механических напряжений от подложки.

В роботі виміряне зміщення між максимумами спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN при прямій і зворотній напрузі в залежності від вмісту індію Х в квантовій ямі і від матеріалу підкладки - SiC, AuSn / Si, Al2O3. Встановлено, що дане зміщення збільшується зі зростанням концентрації індію в шарі InxGa1-xN і механічної напруги від підкладки.