Рекомендований матеріал: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature = Електролюмінесценція гетероструктур InGaN / GaN при зворотному зміщенні та азотній температурі

Заповніть форму, приведену нижче, щоб порекомендувати цей матеріал комусь. Поля позначені зірочкою „*“ - обов’язкові.