1. eNUPPIR «Еlectronic National University «Yuri Kondratyuk Poltava Politechnic» Institutional Repository
  2. Навчально-науковий інститут інформаційних технологій та робототехніки
  3. Кафедра автоматики, електроніки та телекомунікацій

Пошук


Поточні фільтри:

Почати новий пошук
Додати фільтри:

Використовуйте фільтри для уточнення результатів пошуку.

 | 
Результати 1-8 зі 8.
  • назад
  • 1
  • далі
Знайдені матеріали:
Попередній переглядДата виданняНазваАвтор(и)
2013Зміна випромінювальних параметрів потужних світлодіодів при підвищенні струмуБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Киселюк, М.П.; Власенко, О.І.
2016Енергозберігальна установка для знезараження води ультрафіолетовим випрмінюваннямБорщ, В.В.; Власенко, О.І.; Велещук, В.П.; Власенко, З.К.; Киселюк, М.П.; Борщ, О.Б.; Шульга, О.В.; Пугач, М.В.; Нелюба, Д.М.; Даулєтмуратов, Б.К.
2015Non-destructive control of critical defects and diagnostics of InGaN/ GaN heterostructures in power LEDs by using their microplasma characteristics = Неруйнівний контроль критичних дефектів та діагноур InGaN/GaN у світлодіодах живлення за допомогою їх характеристик мікроплазмиБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, А.І.; Власенко, З.К.; Киселюк, М.П.
2018Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нмБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, О.І.; Власенко, З.К.; Хміль, Д.М.; Камуз, О.М.; Неділько, С.Г.; Щербацький, В.П.; Гнатюк, Д.В.; Киселюк, М.П.
2015Смещение спектров электролюминесценции структур InxGa1−xN/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями = Зсув спектрів електролюмінесценції структур InxGa1-xN / GaN з різним вмістом індію і різним матеріалом підкладки, обумовлене ефектом Штарка і механічною напругоюБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, О.І.; Киселюк, М.П.; Власенко, З.К.; Хмиль, Д.Н.
24-тра-2019Electrical and Luminescence Properties of Ultraviolet LEDs 365-400 nm = Електричні та люмінесцентні властивості ультрафіолетових світлодіодів 365-400 нмВелещук, В.П.; Власенко, О.І.; Власенко, З.К.; Шинкаренко, В.В.; Кудрик, Я.Я.; Борщ, В.В.; Борщ, О.Б.; Шефер, О.В.; Киселюк, М.П.
4-кві-2019Електричні та люмінесцентні характеристики світлодіодів ультрафіолетового випромінювання 365 нм при Т = 77 КВелещук, В.П.; Власенко, О.І.; Власенко, З.К.; Петренко, І.В.; Малий, Є.В.; Киселюк, М.П.; Борщ, В.В.; Шефер, О.В.
2015Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature = Електролюмінесценція гетероструктур InGaN / GaN при зворотному зміщенні та азотній температуріБорщ, В.В.; Велещук, В.П.; Власенко, О.І.; Киселюк, М.П.; Хміль, Д.Н.

Перегляд