Обгрунтування і вибір аналітичного методу розрахунку статистичних характеристик поля приймаючої хвилі при її трансіоносферному розповсюдженні

Abstract

Проведений аналіз аналітичних методів розрахунку статистичних характеристик поля прийому хвилі при її трансіоносферному поширенні, найбільш відомим із яких є метод фазового екрану (МФЕ). Основу МФЕ становить модель РРВ всередині іоносферного шару, описувана наближенням фазового екрану (ФЕ). Визначено, що дане наближення найкращим способом відповідає уявленню моделі розподілу флуктуацій ЕК в іоносфері у вигляді тонкого шару неоднорідностей з флуктуаціями інтегральної ЕК ∆NТ(ρ). Наближення ФЕ до- зволяє визначити вираз для дисперсії флуктуацій фазового фронту хвилі ∆φ(ρ, z) на виході іоносферного шару.