Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://reposit.nupp.edu.ua/handle/PoltNTU/2314
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБорщ, В.В.-
dc.contributor.authorВелещук, В.П.-
dc.contributor.authorВласенко, О.І.-
dc.contributor.authorКиселюк, М.П.-
dc.contributor.authorХміль, Д.Н.-
dc.date.accessioned2017-09-15T10:15:25Z-
dc.date.available2017-09-15T10:15:25Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.urihttp://reposit.pntu.edu.ua/handle/PoltNTU/2314-
dc.descriptionElectroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature // V.V. Borshch [et al.] // Optica Applicata : international scientific journal. - 2015. - Vol. XLV, No. 4. - P. 535-543.uk_UA
dc.description.abstractThe electroluminescence spectra at reverse biases in LED InGaN/GaN heterostructures at liquid nitrogen temperatures were studied. At the reverse bias and T = 77 K, avalanche microplasmas breakdowns were observed. Electroluminescence spectra demonstrate two peaks caused by the recombination of carriers in different parts of the structure (quantum well and p-GaN layer).The temperature narrowing the half-width and the shift of еlectroluminescence spectra peaks inherent to microplasmas were observed.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherПольща : Вроцлавський технологічний університетuk_UA
dc.subjectelectroluminescence at reverse biasuk_UA
dc.subjectInGaN/GaN heterostructuresuk_UA
dc.subjectdefectuk_UA
dc.subjectелектролюмінесценція при зворотньому зміщенніuk_UA
dc.subjectгетероструктури InGaN / GaNuk_UA
dc.subjectдефектuk_UA
dc.titleElectroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature = Електролюмінесценція гетероструктур InGaN / GaN при зворотному зміщенні та азотній температуріuk_UA
dc.typeНаукові статтіuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.identifier.udc621.3-
Розташовується у зібраннях:Кафедра автоматики, електроніки та робототехніки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
optappl_4504p535.pdfСтаття347.91 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.